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在柔性電子、半導(dǎo)體制造及新能源材料研發(fā)領(lǐng)域，薄膜電阻的精確測量是評估材料性能的核心指標(biāo)。Delcom20J3STAGE薄膜電阻測量儀憑借其非接觸式渦流技術(shù)、高精度傳感器及智能化軟件系統(tǒng)，成為行業(yè)實(shí)驗(yàn)室與產(chǎn)線的關(guān)鍵設(shè)備。以下從操作流程、核心功...
光學(xué)膜厚儀的薄膜光譜反射系統(tǒng)，可以很簡單快速地獲得薄膜的厚度及nk，采用r-θ極坐標(biāo)移動平臺，可以在幾秒鐘的時(shí)間內(nèi)快速的定位所需測試的點(diǎn)并測試厚度，可隨意選擇一種或極坐標(biāo)形、或方形、或線性的圖形模式，也可以編輯自己需要的測試點(diǎn)。針對不同的晶圓尺寸，盒對盒系統(tǒng)可以很容易的自動轉(zhuǎn)換，匹配當(dāng)前盒子的尺寸。49點(diǎn)的分布圖測量只需耗時(shí)約45秒。用激光粒度分布儀測試膠體的粒度分布時(shí)應(yīng)配合其它檢測手段驗(yàn)證測試結(jié)果的準(zhǔn)確性，同時(shí)應(yīng)使用去離子水作為分散介質(zhì)，防止自來水中的電解質(zhì)造成顆粒團(tuán)聚影響...
Microsense電容式位移傳感器具有一般非接觸式儀器所共有的非接觸式特點(diǎn)外，還具有信噪比高，靈敏度高，零漂小，頻響寬，非線性小，精度穩(wěn)定性好，抗電磁干擾能力強(qiáng)和使用操作方便等優(yōu)點(diǎn)。目前，Microsense電容式位移傳感器在國內(nèi)研究所，高等院校、工廠等部門得到廣泛應(yīng)用，成為科研、教學(xué)和生產(chǎn)中一種不能缺少的測試儀器。Microsense電容式位移傳感器的分類簡介：1、被動式：被動式位移傳感器為一種非接觸式精密位置傳感器?；谧非笞罴训木€性和穩(wěn)定性而設(shè)計(jì)，其測量帶寬高達(dá)20千...
晶圓鍵合的概述：由于光刻的延遲和功率限制的綜合影響，制造商無法水平縮放，因此制造商正在垂直堆疊芯片設(shè)備，含三維集成技術(shù)。由于移動設(shè)備的激增推動了對更小電路尺寸的需求，這已變得至關(guān)重要，但這種轉(zhuǎn)變并不總是那么簡單。三維集成方案可以采用多種形式，具體取決于所需的互連密度。圖像傳感器和高密度存儲器可能需要將一個(gè)芯片直接堆疊在另一個(gè)芯片上，并通過硅通孔連接，而系統(tǒng)級封裝設(shè)計(jì)可能會將多個(gè)傳感器及其控制邏輯放在一個(gè)重新分配層上。晶圓鍵合的業(yè)內(nèi)行情：EVGroup業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)ThomasU...
半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣枋寝┝餍械陌雽?dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件，這些單個(gè)裸片或正方形子組件可能僅包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路，例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。劃刻并...
一、用途光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備之一，按照用途可以分為好幾種：有用于生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)；有用于封裝的光刻機(jī)；還有用于LED制造領(lǐng)域的投影光刻機(jī)。二、工作原理在加工芯片的過程中，光刻機(jī)通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，然后使用化學(xué)方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經(jīng)過一次光刻的芯片可以...