EV集團（EVG，岱美儀器供應(yīng)商）是面向MEMS，納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場的晶圓鍵合和光刻設(shè)備的領(lǐng)仙供應(yīng)商，今天宣布已收到東京大學(xué)的EVG810LT等離子活化訂單化合物半導(dǎo)體研究系統(tǒng)。EVG810LT安裝在大學(xué)的Takagi＆Takenaka實驗室，增強了實驗室的研究重點，該研究致力于使用絕緣體III-V（III-V-OI）和絕緣體鍺開發(fā)新穎的MOSFET和電子光子集成電路（EPIC） （GeOI）基板。這些先進的材料襯底旨在超越常規(guī)硅半導(dǎo)體和硅光子學(xué)的性能，在這些襯底中，III-V類材料（如磷化銦（InP），砷化銦鎵（InGaAs）和鍺結(jié)合到硅晶片上。EVG810LT使用等離子活化晶片表面以進行低溫直接晶片鍵合，并已被其他客戶用于絕緣體上硅（SOI）晶片和背面照明CMOS圖像傳感器的大批量生產(chǎn)。
高木大學(xué)副教授Mitsuru Takenaka博士說：“半導(dǎo)體器件的小型化已達到其物理極限，并且根據(jù)摩爾定律的縮小晶體管（縮放比例）不足以滿足未來對LSI器件更高性能的需求。”和東京大學(xué)竹中實驗室。“在摩爾定律結(jié)束后，具有將III-V化合物半導(dǎo)體或鍺自由堆疊在硅半導(dǎo)體上的3D集成電路有望成為提高LSI性能的突破之一。為了支持我們的努力，我們采用了EV Group的等離子活化技術(shù)EVG810LT系統(tǒng)可幫助我們實現(xiàn)更低的溫度和高質(zhì)量的晶圓鍵合。”
EV Group Japan KK的代表董事山本博（Hiroshi Yamamoto）在評論今天的宣布時說：“我們?yōu)橹С謻|京大學(xué)最仙進的LSI器件研究而選擇我們的系統(tǒng)非常榮幸。The Takagi＆Takenaka的創(chuàng)新成果預(yù)計實驗室將解決半導(dǎo)體行業(yè)當前面臨的基本問題，基于我們公司“發(fā)明，創(chuàng)新和實施”的Triple-i理念，EV集團一直與活躍于先進領(lǐng)域的大學(xué)和研發(fā)機構(gòu)合作。將繼續(xù)為高木和竹中實驗室提供成功進行前沿研究所需的技術(shù)支持。
物聯(lián)網(wǎng)（IoT），大數(shù)據(jù)和人工智能（AI）的出現(xiàn)推動了對功耗更低，性能更高且功能更強大的電子設(shè)備的新一波需求。為了滿足這一需求，半導(dǎo)體行業(yè)正在評估將新材料與超越純硅基晶片的硅結(jié)合起來的好處。這一轉(zhuǎn)變?yōu)榛衔锇雽?dǎo)體的未來市場增長以及更有效的制造技術(shù)實現(xiàn)最大終端設(shè)備性能鋪平了道路。例如，金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）工藝（其中通過異質(zhì)外延生長在基板上沉積II-VI或III-V材料的薄膜）會導(dǎo)致不一致的晶圓形成。這損害了晶片表面的完整性，并最終影響了終端設(shè)備的性能。具有等離子活化的直接晶圓鍵合是一種有前途的解決方案，能夠?qū)崿F(xiàn)不同材料的異質(zhì)集成并實現(xiàn)高質(zhì)量的工程襯底。
EVG將在12月13日至15日在日本東京的東京Bit Sight-東京國際展覽中心舉行的SEMICON Japan展覽會上展示EVG810LT系統(tǒng)等離子活化系統(tǒng)。有興趣了解有關(guān)EVG光刻和晶圓鍵合解決方案套件更多信息的與會人員將參觀公司的5238號展位。
東京大學(xué)成立于1877年，是日本第一所國立大學(xué)。東京大學(xué)是一所領(lǐng)仙的研究型大學(xué)，基本上提供本科和研究生級別的所有學(xué)科的課程，并在整個學(xué)術(shù)活動中進行研究。該大學(xué)旨在為學(xué)生提供豐富多樣的學(xué)術(shù)環(huán)境，以確保他們既有智力發(fā)展機會，又有專業(yè)知識和技能的學(xué)習機會。
EV Group（EVG）是制造半導(dǎo)體，微機電系統(tǒng)（MEMS），化合物半導(dǎo)體，功率器件和納米技術(shù)器件的設(shè)備和工藝解決方案的領(lǐng)仙供應(yīng)商。是岱美儀器的主要供應(yīng)商。主要產(chǎn)品包括晶圓鍵合，薄晶圓處理，光刻/納米壓印光刻（NIL）和計量設(shè)備，以及光刻膠涂布機，清潔劑和檢查系統(tǒng)。EV Group成立于1980年，為精致的客戶和合作伙伴提供服務(wù)并提供支持。
