接觸式光刻機(jī)根據(jù)應(yīng)用工序不同，可以分為用于生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)，以及用于封裝的光刻機(jī)，其中封裝光刻機(jī)對(duì)于光刻精度和控制精度的要求都比制造用光刻機(jī)低很多，價(jià)值量也相對(duì)較低。

 

　　接觸式光刻機(jī)是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的核心設(shè)備， 技術(shù)含量、價(jià)值含量*。 光刻機(jī)涉及系統(tǒng)集成、精密光學(xué)、精密運(yùn)動(dòng)、精密物料傳輸、高精度微環(huán)境控制等多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)，是所有半導(dǎo)體制造設(shè)備中技術(shù)含量zuì高的設(shè)備，因此也具備*的單臺(tái)價(jià)值量，目前世界上zuì先進(jìn)的 ASML EUV光刻機(jī)單價(jià)達(dá)到近一億歐元，可滿(mǎn)足7nm制程芯片的生產(chǎn)。

 

　　接觸式光刻機(jī)的內(nèi)部組件如下：

　　激光器：光源，光刻機(jī)核心設(shè)備之一。

　　光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。

　　能量控制器：控制zuì終照射到硅片上的能量，曝光不足或過(guò)足都會(huì)嚴(yán)重影響成像質(zhì)量。

　　光束形狀設(shè)置：設(shè)置光束為圓型、環(huán)型等不同形狀，不同的光束狀態(tài)有不同的光學(xué)特性。

　　遮光器：在不需要曝光的時(shí)候，阻止光束照射到硅片。

　　能量探測(cè)器：檢測(cè)光束zuì終入射能量是否符合曝光要求，并反饋給能量控制器進(jìn)行調(diào)整。

　　掩模版：一塊在內(nèi)部刻著線(xiàn)路設(shè)計(jì)圖的玻璃板，貴的要數(shù)十萬(wàn)美元。

　　掩膜臺(tái)：承載掩模版運(yùn)動(dòng)的設(shè)備，運(yùn)動(dòng)控制精度達(dá)到納米級(jí)。

　　物鏡：物鏡由 20 多塊鏡片組成，主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小，再被激光映射的硅片上，并且物鏡還要補(bǔ)償各種光學(xué)誤差。技術(shù)難度就在于物鏡的設(shè)計(jì)難度大，精度的要求高。

　　量臺(tái)、曝光臺(tái)： 承載硅片的工作臺(tái)， 一般的光刻機(jī)需要先測(cè)量，再曝光，只需一個(gè)工作臺(tái)，ASML 的雙工作臺(tái)光刻機(jī)則可以實(shí)現(xiàn)一片硅片曝光同時(shí)另一片硅片進(jìn)行測(cè)量和對(duì)準(zhǔn)工作，能有效提升工作效率。

　　內(nèi)部封閉框架、減振器：將工作臺(tái)與外部環(huán)境隔離，保持水平，減少外界振動(dòng)干擾，并維持穩(wěn)定的溫度、壓力。