隨著傳統(tǒng)的2D硅縮放達(dá)到其成本極限，半導(dǎo)體行業(yè)正在轉(zhuǎn)向異構(gòu)集成-將具有不同特征尺寸和材料的多個不同組件或管芯的制造，組裝和封裝到單個設(shè)備或封裝中，以提高性能，這就是混合鍵合技術(shù)。EVG是面向MEMS、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場的晶圓鍵合和光刻設(shè)備的供應(yīng)商，近期推出了EVG®320 D2W裸片制備和活化系統(tǒng)，這是業(yè)內(nèi)弟一個用于混合硅酸鹽管芯對晶片鍵合活化和清洗系統(tǒng)。

 

　　晶圓鍵合系統(tǒng)集成了D2W鍵合所需的所有關(guān)鍵預(yù)處理模塊，包括清潔，等離子體活化，芯片對準(zhǔn)驗證和其他必要的計量工具，并且可以作為單獨系統(tǒng)運行，也可以與第三方拾放芯片工具集成鍵合系統(tǒng)。借助EVG在混合鍵合技術(shù)上數(shù)十年的經(jīng)驗，EVG320 D2W滿足了對創(chuàng)新工藝解決方案的關(guān)鍵需求，這些工藝解決方案可以加快異構(gòu)集成的部署并支持新一代設(shè)備和系統(tǒng)，例如高帶寬存儲器（HBM），邏輯開-內(nèi)存，小芯片，分段和3D片上系統(tǒng)（SoC）設(shè)備，以及3D堆疊式背面照明CMOS圖像傳感器。

 

　　需求分析：

　　混合鍵合是異構(gòu)整合的一個關(guān)鍵的工藝過程。

　　AI自動駕駛，增強/虛擬現(xiàn)實（AR/VR）和5G等前沿應(yīng)用需要開發(fā)高帶寬，高性能和低功耗設(shè)備，并且不能增加生產(chǎn)成本。隨著傳統(tǒng)的2D硅縮放達(dá)到其成本極限，半導(dǎo)體行業(yè)正在轉(zhuǎn)向異構(gòu)集成-將具有不同特征尺寸和材料的多個不同組件或管芯的制造，組裝和封裝到單個設(shè)備或封裝中，以提高性能。

　　在某些應(yīng)用，晶圓對晶圓（W2W）混合鍵合涉及不同生產(chǎn)線的晶圓堆疊和電連接，是異構(gòu)集成的核芯過程。但是，在組件或管芯的尺寸不同的情況下，D2W混合鍵合為實現(xiàn)異構(gòu)集成提供了可行的途徑。憑借其新的D2W鍵合解決方案，其市場領(lǐng)仙的W2W混合鍵合解決方案以及其異質(zhì)集成能力中心支持的行業(yè)合作經(jīng)驗，EVG可以很好地支持D2W鍵合的客戶應(yīng)用需求。

　　EV Group執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)Paul Lindner表示：“ 20多年來，EVG憑借全球蕞大的晶圓鍵合解決方案安裝基礎(chǔ)，不斷為晶圓對晶圓的混合鍵合和融合鍵合建立了新的標(biāo)準(zhǔn)。”“我們已經(jīng)開始使用專門為芯片對晶圓鍵合配置的已建立的EVG GEMINI FB晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)的專用版本來滿足新興的芯片對晶圓鍵合市場的需求。新型EVG320 D2W芯片系統(tǒng)增加了我們在芯片對晶片鍵合方面的專業(yè)知識，并完善了EVG的設(shè)備組合，可提供端到端的混合鍵合解決方案，以加快3D或者異構(gòu)集成的部署。

 

　　晶圓片對晶圓片混合鍵合工藝的流程：

　　有幾種不同的D2W鍵合方法可以使用，并根據(jù)應(yīng)用程序和客戶要求進(jìn)行選擇相應(yīng)的設(shè)備。在集體D2W接合中，將單個管芯放置在集體管芯載體上，然后運送到目標(biāo)晶片進(jìn)行管芯轉(zhuǎn)移，在此處使用W2W混合或融合接合系統(tǒng)來接合管芯到目標(biāo)晶圓。在直接放置D2W接合中，使用拾放式倒裝芯片接合機(jī)將單個管芯逐一接合到目標(biāo)晶圓。等離子體活化和處理晶片上管芯表面的清潔是在管芯和目標(biāo)晶片之間建立高產(chǎn)率的鍵合和電界面的必要步驟。這是需要用到EVG320 D2W芯片混合鍵合系統(tǒng)的地方。

 

　　晶圓缺陷檢測設(shè)備技術(shù)特點：

　　EVG320 D2W是一個高度靈活的平臺，具有通用的硬件/軟件接口，可與第三方拾放芯片鍵合系統(tǒng)無縫集成。根據(jù)集成和線路平衡的要求，它也可以作為單獨系統(tǒng)運行。該系統(tǒng)結(jié)合了EVG的高級清潔和等離子體活化技術(shù)，該技術(shù)可在其行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的W2W融合和混合鍵合平臺上使用，并且已在全球數(shù)百個已安裝的模塊中得到了驗證。此外，EVG320 D2W還具有EVG的對準(zhǔn)驗證模塊（AVM），這是一個集成的計量模塊，可以向芯片鍵合機(jī)提供有關(guān)關(guān)鍵工藝參數(shù)的直接反饋，這些關(guān)鍵工藝參數(shù)包括芯片放置精度和芯片高度信息以及鍵合后的度量，用于改進(jìn)過程控制。