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等離子去膠在使用時(shí)需注意哪四個影響要素?

更新時(shí)間:2023-07-20  |  點(diǎn)擊率:1483
  去膠工藝是微加工過程中一個重要的過程,在電子束曝光,紫外曝光等微納米加工工藝后,都要對光刻膠進(jìn)行去除或打底膜處理。光刻膠是否去除干凈對樣片是否有損傷等問題,將直接影響后續(xù)工藝的順利完成。

等離子去膠性能出色的組件和軟件,可對工藝參數(shù)進(jìn)行精確控制。它的工藝監(jiān)測和數(shù)據(jù)采集軟件可實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的質(zhì)量控制。該技術(shù)已經(jīng)成功的應(yīng)用于功率晶體管、模擬器件、傳感器、光學(xué)器件、光電、EMS/MOEMS、生物器件、LED等領(lǐng)域。

  產(chǎn)品具有去膠快速*;對樣片無損傷;操作簡單安全;設(shè)計(jì)緊湊美觀;產(chǎn)品性價(jià)比高等優(yōu)勢。
 
  等離子去膠在使用中四大影響要素,希望能幫到大家。
  1、調(diào)整合適的頻率:頻率越高,氧越易電離構(gòu)成等離子體。頻率太高,以致電子振幅比其平均自由程還短,則電子與氣體分子磕碰概率反而減少,使電離率降低。通常常用頻率為13.56MHz及2.45GHZ。
  2、調(diào)整合適功率:關(guān)于必定量的氣體,功率大,等離子體中的的活性粒子密度也大,去膠速度也快;但當(dāng)功率增大到必定值,反響所能耗費(fèi)的活性離子到達(dá)飽滿,功率再大,去膠速度則無顯著添加。由于功率大,基片溫度高,所以應(yīng)根據(jù)技術(shù)需求調(diào)理功率。
  3、調(diào)整適合的真空度:恰當(dāng)?shù)恼婵斩?,可使電子運(yùn)動的平均自由程變大,因而從電場取得的能量就大,有利電離。別的當(dāng)氧氣流量必守時(shí),真空度越高,則氧的相對份額就大,發(fā)生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高,活性粒子濃度反而會減小。
  4、氧氣流量的調(diào)整:氧氣流量大,活性粒子密度大,去膠速率加速;但流量太大,則離子的復(fù)合概率增大,電子運(yùn)動的平均自由程縮短,電離強(qiáng)度反而降低。若反響室壓力不變,流量增大,則被抽出的氣體量也添加,其間尚沒參與反響的活性粒子抽出量也隨之添加,因而流量添加對去膠速率的影響也就不甚顯著。
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